纳米集成电路FinFET器件物理与模型

作者简介

Samar K.Saha从印度Gauhati大学获得物理学博士学位，在美国斯坦福大学获得工程管理硕士学位。目前，他是加利福尼亚州圣塔克拉拉大学电气工程系的兼职教授，也是Prospicient Devices的首席研究科学家。自1984年以来，他在美国国家半导体、LSI逻辑、德州仪器、飞利浦半导体、Silicon Storage Technology、新思、DSM Solutions、Silterra USA和 SuVolta担任各种技术和管理职位。他还曾在南伊利诺伊大学卡本代尔分校、奥本大学、内华达大学拉斯维加斯分校以及科罗拉多大学科罗拉多泉分校担任教员。他撰写了100多篇研究论文。他还撰写了一本书Compact Models for Integrated Circuit Design：Conventional Transistors and Beyond（CRC出版社，2015年）；撰写了关于TCAD的书Technology Computer Aided Design:Simulation for VLSI MOSFET（C.K.Sarkar主编，CRC出版社，2013年）中的一章“Introduction to Technology Computer-Aided Design”；拥有12项美国专利。他的研究兴趣包括纳米器件和工艺体系结构、TCAD、紧凑型建模、可再生能源器件、TCAD和研发管理。 Saha博士曾担任美国电气电子工程师学会（IEEE）电子器件分会（EDS）2016～2017年会长，目前担任EDS高级前任会长、J.J.Ebers奖委员会主席和EDS评审委员会主席。他是美国电气电子工程师学会（IEEE）会士、英国工程技术学会（IET）会士、IEEE EDS杰出讲师。此前，他曾担任EDS的前任初级会长；EDS颁奖主席；EDS评审委员会成员；EDS当选会长；EDS出版部副总裁；EDS理事会的当选成员；IEEE QuestEDS主编；EDS George Smith和Paul Rappaport奖主席；5区和6区EDS通讯编辑；EDS紧凑模型技术委员会主席；EDS北美西部区域/分会小组委员会主席；IEEE会议出版委员会成员；IEEE TAB期刊委员会成员；圣克拉拉谷旧金山EDS分会财务主管、副主席、主席。 Saha博士担任IEEE Transactions on Electron Devices (T-ED) 专刊（SI）Advanced Compact Models and 45-nm Modeling Challenges and Compact Interconnect Models for Giga Scale Integration的首席特约编辑；并作为T-ED专刊Advanced Modeling of Power Devices and their Applications和IEEE Journal of Electron Devices Society (J-EDS) 2018年IFETC的精选扩展论文专刊Flexible Electronics特约编辑。他还担任了由科学研究出版社（SCIRP）出版的World Journal of Condensed Matter Physics（WJCMP）的编辑委员会成员。

内容简介

1）作者为IEEE会士、Prospicient Devices首席研究科学家，《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》是作者30多年工业经验和20多年教学经验的结晶。 2）芯片制造经典著作，FinFET是继续缩小和制造集成电路的首选器件。 3）《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》介绍了FinFET器件和技术的基本理论和工作原理，概述了FinFET器件结构和制造工艺，并给出了用于集成电路设计和制造的FinFET器件特性的详细公式。 4）《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》内容详实，器件物理概念清晰，数学推导详尽严谨，即使不太熟悉半导体物理的人员也能轻易理解FinFET概念。