电子器件的电离辐射效应――从存储器到图像传感器

作者简介

Marta Bagatin 毕业于意大利帕多瓦大学，2006年获得电子工程专业学士学位，2010年获得信息科学与技术专业博士学位。她目前作为博士后，就职于意大利帕多瓦大学信息工程系。她的研究兴趣主要是电子器件的辐射效应和可靠性，特别关注非易失半导体存储器。在辐射效应和可靠性领域，Marta以第一作者或共同作者身份在国际期刊上发表论文约40篇，在国际会议上发表论文约50篇，撰写过两部专著的部分章节。她还经常作为核与空间辐射效应会议（NSREC）以及器件与系统的辐射效应会议（RADECS）等国际会议的委员，也是诸多学术期刊的审稿人。 Simone Gerardin 毕业于意大利帕多瓦大学，2003年获得电子工程专业学士学位，2007年获得电子和电信工程专业博士学位。他目前是意大利帕多瓦大学的助理教授。他的研究聚焦于先进CMOS工艺中电离辐射引起的软错误和硬错误，以及它们与器件老化和ESD的相互作用。Simone在国际期刊上以第一作者或共同作者身份发表论文超过60篇，发表会议论文60余篇，撰写过三部专著的部分章节，在辐射效应国际会议上做过两次专题讲座（Tutorial）。他目前是IEEE Transactions on Nuclear Science期刊副主编，作为诸多学术期刊的审稿人，还担任辐射效应领导小组的代表委员。
毕津顺，博士生导师，贵州师范大学教授，中国科学院微电子研究所特聘研究员，中国科学院大学岗位教授。主要从事半导体器件和集成电路辐射效应、抗辐射加固技术及应用研究。主持国防创新项目、预研项目、自然基金重点项目和面上项目10余项，参与国家重大科技专项、国家自然基金创新研究群体项目、自然科学基金委C中国科学院大科学装置科学研究联合基金项目和中科院国际合作项目等20余项。已出版译著两部，发表各类学术论文180余篇，申请专利共计80余项。

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