图解入门——功率半导体基础与工艺精讲(原书第3版)
作者简介
佐藤淳一,毕业于京都大学工学研究科,并获得硕士学位。1978年开始就职于东京电气化学工业株式会社(现TDK),1982年开始就职于索尼公司。一直从事半导体和薄膜器件相关工艺的研究开发工作。在此期间,参与创建半导体技术公司,担任长崎大学兼职讲师、行业协会委员等职位,同时也是应用物理学会员。
内容简介
当前IGBT/SiC/GaN的研究进展及未来趋势探析 借鉴日本功率半导体制造的经验 剖析从水银整流器进化到IGBT的原因 兼顾高电压与高速度 脱碳社会与功率半导体 实现快速高效充电的SiC逆变器 为何GaN比SiC性能更优秀/6英寸SiC量产/4英寸GaN实证 日本半导体专家佐藤淳一从业30多年积淀