图解入门——半导体元器件精讲

作者简介

执行直之，国际电子技术与信息科学工程师学会会士（IEEE Fellow）。毕业于日本东北大学的工学研究科情报工学专业，并取得了博士学位（工学）。1980年进入东芝株式会社，2019年进入铠侠控股株式会社。专业领域为半导体器件的仿真以及器件设计。主要贡献为：研发了三维器件仿真工具，阐释并解决了器件微缩过程中的问题。构造了少数载流子迁移率等物理模型，使得器件仿真工具进一步实用化，对超大规模集成电路的实现做出了贡献。解决了一些静电放电（ESD）软件错误等相关的问题，对闪存的器件设计做出了贡献。此外还进行过功率半导体IGBT相关的研究。合著了《MOS集成电路的基础》（近代科学社出版）、《最新半导体制程 器件 仿真技术》（REALIZE出版社出版）等书籍。自2001年，为神奈川大学工学部兼课讲师一职。自2004年开始的两年间，曾任东京工业大学大学院兼课讲师一职。曾任日本东北大学大学院客座教授一职。自2017年开始的两年间，曾任东京工业大学研究员一职。

内容简介

东芝株式会社指定内部培训用书日本著名半导体专家执行直之从业40多年积淀38道习题 159张图表 163个公式 168个知识点本书附有：常量表/室温下（300K）的Si基本常量/从基本专利到实用化花了32年的MOS晶体管/麦克斯韦-玻尔兹曼分布函数/关于电子密度n以及空穴密度p的公式/质量作用定律/PN结的耗尽层宽度/载流子的产生与复合/小信号下的共发射极电路的电流放大倍数/带隙变窄以及少数载流子迁移率/阈值电压Vth/关于漏极电流ID饱和的解释/