衍射极限附近的光刻工艺（第2版）

作者简介

伍强，复旦大学研究员博士生导师。1993年于复旦大学获物理学学士学位，1999年于耶鲁大学获物理学博士学位。毕业后就职于IBM公司，担任半导体集成电路光刻工艺研发工程师，在研发65nm逻辑光刻工艺时，在世界上首次通过建模精确地测量了光刻工艺的重要参数：等效光酸扩散长度。2004年回国，先后担任光刻工艺研发主管、光刻设备应用部主管，就职于上海华虹NEC电子有限公司、荷兰阿斯麦（ASML）光刻设备制造（中国）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司、上海集成电路研发中心和复旦大学。先后研发或带领团队研发0.18μm、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、14nm、10nm、7nm等逻辑光刻工艺技术和0.11μm 动态随机存储器（DRAM）光刻工艺技术，带领设备应用部团队将193nm浸没式光刻机成功引入中国。截至2023年8月，个人共获得110项专利授权，其中40项美国专利，发表光刻技术论文79篇。担任国家“02”重大专项光刻机工程指挥部专家，入选“2018年度上海市优秀技术带头人”计划，2007-2009年担任ISTC（国际半导体技术大会）光刻分会主席。2010-2023年担任CSTIC（中国国际半导体技术大会）光刻分会副主席。

内容简介

"集成电路产业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。光刻工艺是集成电路制造业核心工艺技术之一，在集成电路的诸多领域，扮演着不可或缺的重要作用。 本书以光刻工艺为主线，将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建模思想和推导、芯片制造的技术发展要求，以及对光刻工艺各项参数的要求紧密地联系在一起，为读者展现一个整体的图景。本书是一部极具深度和广度的光刻工艺技术著作，覆盖多学科领域，体系结构完整，内容系统全面，数据资料翔实，论述严谨，可读性强。本书的出版将帮助读者全面、深入地了解光刻技术，推动光刻技术各领域的交流和协同，促进人才培养、技术进步和产业发展。 伍强博士等作者是随着半导体产业的发展成长起来的资深光刻技术专家，不仅有深厚的学术根基，还有丰富的产业经验，他们带领的团队多年来在国内外多家顶级公司一线工作，掌握了业界领先的制造工艺。他们处理实际问题的经验以及从产业出发的独特技术视角，将给读者带来启发和帮助。本书理论与实际相结合，紧跟国际技术前沿，不断更新和完善内容。 "