图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲

作者简介

山本秀和，北海道大学研究生院工学研究科电气工学博士。在三菱电机从事Si-LSI及功率器件的研究开发。现任千叶工业大学教授，从事功率器件和功率器件产品的分析技术研究。曾任北海道大学客座教授、功率器件赋能协会理事、新金属协会硅晶体分析技术国际标准审议委员会委员长、新金属协会半导体供应链研究会副委员长等。 上田修，东京大学工学部物理工学博士。1974—2005年，在富士通研究所(股份有限公司)从事半导体中晶格缺陷的分析以及半导体发光器件、电子器件劣化机制阐明的研究。2005—2019年，在金泽工业大学研究生院工学研究科任教授。现为明治大学客座教授。 二川清，大阪大学研究生院基础工学研究科物理系工学博士。在NEC和NEC电子从事半导体可靠性和失效分析技术的实际业务和研究开发。曾任大阪大学特聘教授、金泽工业大学客座教授、日本可靠性学会副会长等职。现任芝浦工业大学兼职讲师。

内容简介

各种分析工具可有效提升良率 多位日本半导体专家倾力打造 硅集成电路 (LSI) 的失效分析 功率器件的缺陷、失效分析 化合物半导体发光器件的缺陷、失效分析